edastudy:tessent:memory_bist
差别
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| 两侧同时换到之前的修订记录前一修订版后一修订版 | 前一修订版 | ||
| edastudy:tessent:memory_bist [2026/07/06 16:54] – [1.9 mbist memory分组] user01 | edastudy:tessent:memory_bist [2026/10/12 08:49] (当前版本) – [2.11 bisr_segment_order] user01 | ||
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| 行 213: | 行 213: | ||
| 一般来说memory compiler生成出来的memory每个port的操作频率都是一样，所以memory本身应该也能够承受高频的测试。 | 一般来说memory compiler生成出来的memory每个port的操作频率都是一样，所以memory本身应该也能够承受高频的测试。 | ||
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| + | ===== - 使用TCK时钟来测试memory ===== | ||
| + | 可能是为了慢速调试，不使用高频时钟，而使用tck时钟去做memory bist读写测试。 | ||
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| + | 出pattern方式： | ||
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| + | 方式一： 直接配置OCC的inject_tck为1， TCK直接注入到时钟通路，跑mbist测试。 | ||
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| + | 方式二： Pattern(MemoryBist_P1)/ | ||
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| + | 注：不能用于ATPG测试。 | ||
| ===== - mbist memory分组 ===== | ===== - mbist memory分组 ===== | ||
| 行 236: | 行 247: | ||
| 手动修改spec，进行手动分组。 | 手动修改spec，进行手动分组。 | ||
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| + | ===== - 时钟定义 ===== | ||
| + | memory要做mbist测试， 那连到memory port的clock需要先在tcl用 add_clocks 定义 | ||
| ====== - mbisr ====== | ====== - mbisr ====== | ||
| 行 509: | 行 524: | ||
| 如果需要某些mem_init不做mbisr 或 mbist的时候，某设置需要在check_design_rules之前设置。 | 如果需要某些mem_init不做mbisr 或 mbist的时候，某设置需要在check_design_rules之前设置。 | ||
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| + | ===== - repair controller时钟定义 ===== | ||
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| + | repair_clock_connection : pin_or_port_name ; // 这个port or pin必须要先用add_clocks定义时钟，不然flow会报错。 | ||
| ====== - memory lib ====== | ====== - memory lib ====== | ||
edastudy/tessent/memory_bist.1783328094.txt.gz · 最后更改: 2026/07/06 16:54 由 user01