edastudy:tessent:memory_bist

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--- edastudy:tessent:memory_bist [2025/07/03 08:13] – [2.9.1 多次memory bist repair测试结果积累] user01
+++ edastudy:tessent:memory_bist [2026/10/12 08:49] (当前版本) – [2.11 bisr_segment_order] user01
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 一般来说memory compiler生成出来的memory每个port的操作频率都是一样，所以memory本身应该也能够承受高频的测试。
+===== - 使用TCK时钟来测试memory =====
+可能是为了慢速调试，不使用高频时钟，而使用tck时钟去做memory bist读写测试。
+出pattern方式：
+方式一： 直接配置OCC的inject_tck为1， TCK直接注入到时钟通路，跑mbist测试。
+方式二： Pattern(MemoryBist_P1)/tck_clock_only为on
+注：不能用于ATPG测试。
 ===== - mbist memory分组 =====
-**方法一:**
+**方法一:**  <color #ed1c24>推荐方式</color>
 <code tcl>
@@ 行 236: / 行 247: @@
 手动修改spec，进行手动分组。
+===== - 时钟定义 =====
+memory要做mbist测试， 那连到memory port的clock需要先在tcl用 add_clocks 定义
 ====== - mbisr ======
@@ 行 509: / 行 524: @@
 如果需要某些mem_init不做mbisr 或 mbist的时候，某设置需要在check_design_rules之前设置。
+===== - repair controller时钟定义 =====
+repair_clock_connection : pin_or_port_name ; // 这个port or pin必须要先用add_clocks定义时钟，不然flow会报错。
 ====== - memory lib ======

edastudy/tessent/memory_bist.1751501612.txt.gz · 最后更改: 2025/07/03 08:13 由 user01