edastudy:tessent:memory_bist
差别
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| 两侧同时换到之前的修订记录前一修订版后一修订版 | 前一修订版 | ||
| edastudy:tessent:memory_bist [2025/07/03 08:13] – [2.9.1 多次memory bist repair测试结果积累] user01 | edastudy:tessent:memory_bist [2026/07/06 19:19] (当前版本) – [1.9 使用TCK时钟来测试memory] user01 | ||
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| 行 213: | 行 213: | ||
| 一般来说memory compiler生成出来的memory每个port的操作频率都是一样，所以memory本身应该也能够承受高频的测试。 | 一般来说memory compiler生成出来的memory每个port的操作频率都是一样，所以memory本身应该也能够承受高频的测试。 | ||
| + | |||
| + | ===== - 使用TCK时钟来测试memory ===== | ||
| + | 可能是为了慢速调试，不使用高频时钟，而使用tck时钟去做memory bist读写测试。 | ||
| + | |||
| + | 出pattern方式： | ||
| + | |||
| + | 方式一： 直接配置OCC的inject_tck为1， TCK直接注入到时钟通路，跑mbist测试。 | ||
| + | |||
| + | 方式二： Pattern(MemoryBist_P1)/ | ||
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| + | 注：不能用于ATPG测试。 | ||
| ===== - mbist memory分组 ===== | ===== - mbist memory分组 ===== | ||
| - | **方法一: | + | **方法一: |
| <code tcl> | <code tcl> | ||
edastudy/tessent/memory_bist.1751501612.txt.gz · 最后更改: 2025/07/03 08:13 由 user01