edastudy:tessent:memory_bist
差别
这里会显示出您选择的修订版和当前版本之间的差别。
| 两侧同时换到之前的修订记录前一修订版 | |||
| edastudy:tessent:memory_bist [2026/07/06 16:56] – [1.8 mbist test clock] user01 | edastudy:tessent:memory_bist [2026/07/06 19:19] (当前版本) – [1.9 使用TCK时钟来测试memory] user01 | ||
|---|---|---|---|
| 行 217: | 行 217: | ||
| 可能是为了慢速调试，不使用高频时钟，而使用tck时钟去做memory bist读写测试。 | 可能是为了慢速调试，不使用高频时钟，而使用tck时钟去做memory bist读写测试。 | ||
| - | 直接配置OCC的inject_tck为1， TCK直接注入到时钟通路，跑mbist测试。 | + | 出pattern方式： |
| + | |||
| + | 方式一： | ||
| + | |||
| + | 方式二： Pattern(MemoryBist_P1)/ | ||
| + | |||
| + | 注：不能用于ATPG测试。 | ||
| - | 不能用于ATPG测试。 | ||
| ===== - mbist memory分组 ===== | ===== - mbist memory分组 ===== | ||
| **方法一: | **方法一: | ||
edastudy/tessent/memory_bist.txt · 最后更改: 2026/07/06 19:19 由 user01