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edastudy:package封装

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edastudy:package封装 [2025/05/07 15:48] – [5. RDL] user01edastudy:package封装 [2025/05/07 15:50] (当前版本) – [5. RDL] user01
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 RDL(Re-distributed layer),作为实现芯片水平方向电气延伸和互连的关键技术,在 3D/2.5D 封装集成以及 FOWLP(扇出型晶圆级封装)中发挥着举足轻重的作用。它通过在芯片表面沉积金属层和相应的介电层,巧妙地形成金属导线,并将 IO 端口重新设计到更宽敞的区域,构建出表面阵列布局。这一创新技术不仅使得芯片间的键合更薄,简化了工艺,还让设计人员能够以更为紧凑和高效的方式放置芯片,从而显著减少了器件的整体占地面积。 RDL(Re-distributed layer),作为实现芯片水平方向电气延伸和互连的关键技术,在 3D/2.5D 封装集成以及 FOWLP(扇出型晶圆级封装)中发挥着举足轻重的作用。它通过在芯片表面沉积金属层和相应的介电层,巧妙地形成金属导线,并将 IO 端口重新设计到更宽敞的区域,构建出表面阵列布局。这一创新技术不仅使得芯片间的键合更薄,简化了工艺,还让设计人员能够以更为紧凑和高效的方式放置芯片,从而显著减少了器件的整体占地面积。
  
-突破传统I/O布局限制+**突破传统I/O布局限制**
 传统芯片的I/O端口通常位于边缘,而RDL通过金属布线(如铜导线)将其重新排布为面阵列,支持更密集的引脚布局(如从数百个I/O提升至数千个)。 传统芯片的I/O端口通常位于边缘,而RDL通过金属布线(如铜导线)将其重新排布为面阵列,支持更密集的引脚布局(如从数百个I/O提升至数千个)。
  
  
-提升电气性能+**提升电气性能**
 通过缩短信号传输路径,减少寄生电容和电感,降低延迟(例如在高性能计算芯片中可减少30%以上的路径长度),并优化信号完整性。 通过缩短信号传输路径,减少寄生电容和电感,降低延迟(例如在高性能计算芯片中可减少30%以上的路径长度),并优化信号完整性。
  
  
-支持多芯片集成+**支持多芯片集成**
 在2.5D/3D封装中,RDL连接不同功能的堆叠芯片(如逻辑芯片与存储器),而TSV(硅通孔)负责垂直互连,两者协同实现高带宽集成(如HBM存储器的总线宽度提升至1024位)。 在2.5D/3D封装中,RDL连接不同功能的堆叠芯片(如逻辑芯片与存储器),而TSV(硅通孔)负责垂直互连,两者协同实现高带宽集成(如HBM存储器的总线宽度提升至1024位)。
  
  
-降低成本与封装尺寸+**降低成本与封装尺寸**
 通过优化布线设计减少冗余金属层,降低材料成本;同时支持更紧凑的封装形式(如扇出型晶圆级封装FOWLP),使封装面积接近芯片尺寸 通过优化布线设计减少冗余金属层,降低材料成本;同时支持更紧凑的封装形式(如扇出型晶圆级封装FOWLP),使封装面积接近芯片尺寸
edastudy/package封装.1746604131.txt.gz · 最后更改: 2025/05/07 15:48 由 user01

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